産学官共創の舞台となる
GaN研究拠点が
名古屋に誕生

材料、デバイス、システムの
研究者が一体となって進める
省エネルギーイノベーションの創出

GaNに特化した
世界トップレベルの
フルプロセスライン

エネルギー変換エレクトロニクス実験施設

エネルギー変換エレクトロニクス実験施設“C-TEFs”は、名古屋未来材料・システム研究所のクリーンルーム実験棟です。本施設はGaN研究における結晶成長・デバイスプロセス・評価を同一スペースで行える約1,000㎡(クラス1,000:露光エリア、クラス10,000:プロセスエリア)の大空間クリーンルームを有し、研究開発の加速を図ります。

名古屋大学東山キャンパス

名古屋大学東山キャンパス

ACCESS

地下鉄東山線 本山駅にて乗り換え
地下鉄名城線 (右回り:八事・新瑞橋方面)
名古屋大学駅 下車 徒歩15分

地下鉄鶴舞線 八事駅にて乗り換え
地下鉄名城線 (左回り:本山・大曽根方面)
名古屋大学駅 下車 徒歩15分