CONCEPT

名古屋大学は、産学官共創による最先端省エネルギーイノベーションの創出促進、地域活性化・産業競争力強化の研究開発拠点の形成を実現するため、C-TEFsとC-TECs(エネルギー変換エレクトロニクス研究館を開設します。

エネルギー変換エレクトロニクス実験施設“C-TEFs”は、窒化ガリウム（GaN)研究拠点の整備の一環として、オープンイノベーションのための新しい産学官連携研究開発体制を構築し、結晶成長、物性評価、デバイス設計・プロセス、回路・システムを under-one-roof で垂直統合した世界唯一のGaN研究拠点として、研究開発の加速を図る新たな施設です。

施設長挨拶

C-TEFsは産官学に対して窒化物半導体デバイスの総合的な研究プラットフォームを提供し、窒化物半導体技術の社会実装を加速するとともに、新しい結晶成長技術やデバイス技術の開拓(基礎研究)も進めます。世界をリードし、常に新しい情報を発信する拠点、世界ナンバーワン・オンリーワンの研究施設をめざします。

須田 淳

C-TEFs施設長・教授

須田 淳

名古屋大学
未来材料・システム研究所
エネルギー変換エレクトロニクス実験施設（C-TEFs）

天野教授メッセージ

世界で初めてGaNデバイスに特化したプロセスラインが構築されました。人口減少と急速な高齢化という、今まで経験したことのない事態に直面し、我々研究者には、持続可能かつスマートな次世代社会インフラを構築することが求められております。その技術を実際に生み出す場所がここC-TEFsです。

未来エレクトロニクス集積研究センター（CIRFE)は、C-TEFsを拠点に世界最先端の研究を推進するとともに、将来を担う人材育成を進めてまいります。

天野 浩

CIRFEセンター長・教授

天野 浩

名古屋大学
未来材料・システム研究所
未来エレクトロニクス集積研究センター（CIRFE）

名古屋大学GaN研究開発拠点の概要

- 産学官共創によるGaNオープンプロセスプラットフォーム -

結晶成長、物性評価、デバイス設計・プロセス、回路・システムを under-one-roof で
垂直統合した世界唯一のGaN研究拠点

C-TECs ＆ C-TEFs

C-TEFs

結晶創成

日本トップレベルのGaN結晶を創成

デバイス化

GaN結晶に特化したデバイス化研究

評価 開発促進

研究機関　産業界

システム化

最終製品を見越したシステム開発

  • 製品
  • 製品
  • 製品
  • 製品

実用の可能性

光デバイス

安心･安全な生活環境を提供

光デバイス

・どこでも使える殺菌機器
・深紫外発光デバイス

水環境、医療

パワーデバイス

省エネルギー社会の実現

パワーデバイス

・エネルギー変換効率UP
・GaN on GaN 縦型パワーデバイス

輸送、発電

高周波デバイス

ワイヤレスによる便利なくらし

高周波デバイス

・大容量の電力・情報をワイヤレス送受信
・横型HEMT 高周波デバイス

通信、ワイヤレス電力伝送