施設概要・設備 FACILITIES
エネルギー変換エレクトロニクス実験施設は、名古屋大学未来材料・システム研究所のクリーンルーム実験棟です。本施設は、GaN研究における結晶成長・デバイスプロセス・評価を同一スペースで行える約1,000㎡（クラス1,000：露光エリア、クラス10,000：プロセスエリア）の大空間クリーンルームを有し、研究開発の加速を図ります。
クリーンルームの特長
GaNに特化したサブミクロン加工プロセスライン
結晶成長から電極形成までアンダーワンルーフで
GaNパワーデバイスをスループロセスｉ線ステッパをはじめとした、サブミクロンに対応した充実した加工設備
専任の技術員による運営管理、プロセス受託
多様な料金設定による設備共用システム
ターゲットデバイス
GaNonGaN縦型パワーデバイス
AlGaN/GaN横型HEMT高周波デバイス
AlGaN深紫外発光デバイス
GaN future devices
C-TEFs 施設概要・主な設備
C-TEFs 2階 クリーンルーム 平面図 1,054㎡
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MOVPEエリア
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フロントエンド設備
（メタル工程前）
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バックエンド設備
（メタル工程後）
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露光エリア
（i線ステッパ）
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ウェットエリア
（RCA洗浄装置）
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クリーンルーム運用イメージ
特長
2インチで確実にデバイスが流れるクリーンルーム
要素技術を個別に研究, その成果を2インチデバイスラインで実証
将来の大口径化に向けた6インチまでの要素技術開発
C-TEFs と C-TECs
2018年、名古屋大学では、C-TEFsとC-TECs により、産学官共創による最先端省エネルギーイノベーションの創出促進、地域活性化・産業競争力強化の研究開発拠点の形成を実現します。
C-TEFs エネルギー変換エレクトロニクス実験施設
CIRFE Transformative Electronics Facilities
構造：S造 地上２階建
面積：2,997㎡
C-TECs エネルギー変換エレクトロニクス研究館
CIRFE Transformative Electronics Commons
構造：SRC造 地上7階建
面積：6,360㎡
