FACILITIES

エネルギー変換エレクトロニクス実験施設は、名古屋大学未来材料・システム研究所のクリーンルーム実験棟です。本施設は、GaN研究における結晶成長・デバイスプロセス・評価を同一スペースで行える約1,000㎡(クラス1,000:露光エリア、クラス10,000:プロセスエリア)の大空間クリーンルームを有し、研究開発の加速を図ります。

クリーンルームの特長

  • GaNに特化したサブミクロン加工プロセスライン

  • 結晶成長から電極形成までアンダーワンルーフで
    GaNパワーデバイスをスループロセス

  • i線ステッパをはじめとした、サブミクロンに対応した
     充実した加工設備

  • 専任の技術員による運営管理、プロセス受託

  • 多様な料金設定による設備共用システム

ターゲットデバイス

  • GaNonGaN縦型パワーデバイス

  • AlGaN/GaN横型HEMT高周波デバイス

  • AlGaN深紫外発光デバイス

  • GaN future devices

C-TEFs 施設概要・主な設備

C-TEFs 2階 クリーンルーム 平面図 1,054m2

クリーンルーム平面図
  • MOCVDエリア

    MOCVDエリア

  • フロントエンド設備

    フロントエンド設備

    (メタル工程前)

  • バックエンド設備

    バックエンド設備

    (メタル工程後)

  • 露光エリア

    露光エリア

    (i線ステッパ)

  • ウェットエリア

    ウェットエリア

    (RCA洗浄装置)

  • エリア

クリーンルーム運用イメージ

特長

  1. 12インチで確実にデバイスが流れるクリーンルーム
  2. 2要素技術を個別に研究, その成果を2インチデバイスラインで実証
  3. 3将来の大口径化に向けた6インチまでの要素技術開発

C-TEFs と C-TECs

2018年、名古屋大学では、C-TEFsとC-TECs により、産学官共創による最先端省エネルギーイノベーションの創出促進、地域活性化・産業競争力強化の研究開発拠点の形成を実現します。

C-TEFs

CIRFE Transformative Electronics Facilities

構造:S造 地上2階建
面積:2,997㎡
※H30年5月25日完成

C-TECs

CIRFE Transformative Electronics Commons

構造:SRC造 地上7階建
面積:6,360㎡
※H30年12月完成予定

施設マップ
C-TEFsの施設概要・設備